Laboratory for Manufacturing Automation Department of Mechanical Engineering University of California at Berkeley Berkeley, CA 94720-1740;
chemical mechanical polishing; bi-layer property of passive film; film generation rate; abrasive weight concentration; abrasive size distribution; wafer-pad contact area;
机译:用于亚微米集成电路制造的化学机械平面化过程中的材料去除区域:浆料化学物质,磨料尺寸分布和晶片-焊盘接触面积的耦合效应
机译:用于亚微米集成电路制造的化学机械平面化过程中的材料去除区域:浆料化学物质,磨料尺寸分布和晶片-焊盘接触面积的耦合效应
机译:亚微米集成电路制造化学机械平面中的材料去除区:浆料化学品,磨料尺寸分布和晶圆垫接触面积的耦合效应
机译:化学机械抛光中的材料去除区:浆料化学品,磨料尺寸分布和晶圆垫接触面积的偶联效果
机译:化学机械抛光中浆料流和材料去除的多尺度建模。
机译:考虑机械水文化学耦合效应的岩石颗粒材料在渗流过程中粒径分布变化的实验研究
机译:浆料对化学机械抛光过程中材料去除机理的基本作用研究