机译:用于亚微米集成电路制造的化学机械平面化过程中的材料去除区域:浆料化学物质,磨料尺寸分布和晶片-焊盘接触面积的耦合效应
VLSI; abrasion; chemical mechanical polishing; integrated circuit technology; semiconductor process modelling; MRR; abrasive size distribution; abrasive weight concentration; chemical mechanical planarization; chemically dominant region; coupling effects; material;
机译:用于亚微米集成电路制造的化学机械平面化过程中的材料去除区域:浆料化学物质,磨料尺寸分布和晶片-焊盘接触面积的耦合效应
机译:亚微米集成电路制造化学机械平面中的材料去除区:浆料化学品,磨料尺寸分布和晶圆垫接触面积的耦合效应
机译:亚微米集成电路制造化学机械平面中的材料去除区:浆料化学品,磨料尺寸分布和晶圆垫接触面积的耦合效应
机译:化学机械抛光中的材料去除区:浆料化学品,磨料尺寸分布和晶圆垫接触面积的偶联效果
机译:用于集成电路制造的化学机械平面化/抛光(CMP)的集成模型:从微粒级到芯片级和晶圆级。
机译:化学机械平面化过程中浆料混合程度和可用性的浆料注入方案
机译:YO纳米片用作铜化学机械平面化的浆料研磨剂