SINTEF ICT, Department of Microsystems and Nanotechnology, Oslo, Norway;
SINTEF ICT, Department of Microsystems and Nanotechnology, Oslo, Norway,Department of Physics, University of Oslo, Oslo, Norway;
Memscap AS, Langmyra 11, N-3185 Skoppum, Norway,IMST, Buskerud and Vestfold University College, 3184 Borre, Norway;
SensoNor, Knudsrodveien 7, N-3194 Horten, Norway;
SINTEF ICT, Department of Microsystems and Nanotechnology, Oslo, Norway;
机译:绝缘体上硅衬底上的低温In-to-Si直接晶片键合的高效垂直除气通道
机译:硅-硅和硅-杂原子键向不饱和有机分子的过渡金属催化加成
机译:内氧化剂指导策略,可实现无金属C-S债券连接
机译:金属热压缩粘合和硅直接粘接密封空腔中的泄漏速率和残余气体压力
机译:σ键结合方法中的早期过渡金属络合物:硅氢键,硅碳键和碳氢键的活化。
机译:通过硅直接晶圆键合制造均匀的纳米腔
机译:通过粘合剂键合的硅集成混合腔850 nm VCSEL:键合界面厚度对激光性能的影响
机译:航空航天传感器组件和子系统调查与创新-2组件探索与开发(asCsII-2 CED)交付订单0003:采用选择性和大型的微机电系统(mEms)器件的三维Gaas硅和硅硅封装的气密密封腔 - 规模粘合