IBM Thomas J. Watson Res. Center, Yorktown Heights, NY;
机译:关于未来CMOS技术的开关电流电路的未来前景
机译:高性能CMOS高移动通道技术的现状与展望。
机译:高性能CMOS高移动通道技术的现状与展望。
机译:Si CMOS技术的未来前景
机译:III-V衬底上具有硅界面钝化作用的氧化and的电气和材料特性的研究,以用于将来的规模化CMOS技术
机译:使用65 nm CMOS技术单片集成的CMOS-NEMS铜开关
机译:在电路级评估未来的CMOS技术(<50nm)
机译:批量CmOs VLsI技术研究。第1部分:可扩展CmOs设计规则。第2部分pLa(可编程逻辑阵列)设计的CmOs方法