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目录
第一章 绪论
1.1 SiGe BiCMOS技术优势
1.2 国内外研究现状和发展动态
1.3 论文内容安排
第二章 SiGe/Si材料特性与HBT基本原理
2.1 SiGe/Si材料物理特性
2.2 SiGe HBT基本原理
第三章 SiGe BiCMOS工艺流程设计
3.1 SiGe BiCMOS工艺介绍
3.2 1.5μm SiGe BiCMOS初始工艺流程确定
第四章 基于SiGe BiCMOS技术的HBT设计
4.1 器件结构概述
4.2 器件纵向结构设计
4.3 抑制HBE效应优化设计
4.4 纵向结构参数优化和工艺参数确定
4.5 横向结构参数的选取
4.6 SiGe HBT器件仿真结果
第五章 SiGe图形外延试验与测试结果分析
5.1 SiGe图形外延单项试验
5.2 测试与分析
第六章 结 论
致谢
参考文献
攻读硕士学位期间的研究成果
电子科技大学;