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用于SiGe RF－BiCMOS技术的集成SiCr金属薄膜电阻器

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摘要

本发明提出了一种用于SiGe RF BiCMOS技术的集成SiCr金属薄膜电阻器(10)。集成SiCr薄膜电阻器(10)的使用增加了封装密度，并且减小了由表面安装结构所导致的高频处的寄生效应。根据本发明，通过选择性地控制SiCr沉积条件，SiCr薄膜电阻器的薄膜电阻(Rs)可以以小于2％的均匀度在约400－2500ohms/square的较宽范围内变化。此外，根据本发明形成的SiCr薄膜电阻器分别具有小于约100ppm/℃和－0.9ppm/℃

著录项

公开/公告号CN101027752A

专利类型发明专利
公开/公告日2007-08-29

原文格式PDF
申请/专利权人皇家飞利浦电子股份有限公司;
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申请/专利号CN200580032708.4
发明设计人红江·孙;卡曼·鲁;佩吉·麦克唐纳;南希·E·贝尔;塔伊尔·纳什瓦特;
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申请日2005-09-22
分类号H01L21/02;
代理机构中科专利商标代理有限责任公司;
代理人朱进桂
地址荷兰艾恩德霍芬
入库时间 2023-12-17 19:07:33

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2009-08-12

发明专利申请公布后的视为撤回

发明专利申请公布后的视为撤回
2008-04-23

专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移) 变更前: 变更后: 登记生效日:20080321 申请日:20050922

专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)
2007-12-05

实质审查的生效

实质审查的生效
2007-08-29

公开

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