Fundamental Electrical Measurements Group, National Institute of Standards and Technology 100 Bureau Drive, Mail Stop 8112 Gaithersburg, MD 20899-8112;
机译:具有合金化AuGe / Ni触点的GaAs / AlGaAs量化霍尔电阻的性能下降
机译:接触电阻对量化霍尔传感器的欧姆接触的电流的依赖性
机译:GaAs / AlGaAs异质结构器件的量化霍尔电阻R / sub H /(2)和R / sub H /(4)的比较
机译:对GaAs / Algaas量化霍尔电阻的超低电阻触点
机译:砷化铟镓/磷化铟HBT超低电阻欧姆触点的开发
机译:具有合金化AuGe / Ni触点的GaAs / AlGaAs量化霍尔电阻的性能下降
机译:GaAs / AlGaAs点接触式光学光刻的量化电导和电子聚焦谱
机译:具有合金auGe / Ni触点的Gaas / alGaas量化霍尔电阻的降解