Air Force Research Laboratory, Materials Manufacturing Directorate, Wright Patterson AFB, OH 45433-7707;
infrared; detector; superlattice; InAs/GaSb;
机译:低温下中红外光电检测InAs / GaSbⅡ型超晶格的光学折射率测量
机译:基于GaSb的Ⅱ型InAs / GaSb超晶格光电二极管的生长和表征
机译:基于GaSb的Ⅱ型InAs / GaSb超晶格光电二极管的生长和表征
机译:GaSb层厚度对InAs / GaSbⅡ型超晶格中红外检测带隙的影响
机译:用于多光谱红外检测和成像的基于II型锑化物的超晶格的理论设计和材料生长。
机译:光电材料量子受限有效超晶格中光发射的简单理论分析
机译:用于中红外检测的基于GaSb的II型InAs / GaSb超晶格光电二极管的生长和表征
机译:用位置敏感X射线检测短周期超晶格中成分调制的倒易空间分析2。材料科学学报:电子材料