Fraunhofer IZM, Department Micro Devices and Equipment, Reichenhainer Strasse 88, 09126 Chemnitz, Germany;
机译:用于BICMOS应用的SOI衬底上掩埋硅化物层的制备和表征
机译:结合有埋入式硅化物层的键合SOI上的SiGe HBT
机译:通过Smart-Cut〜(〜R)将硅化钨埋在绝缘体衬底上的硅中
机译:用于BICMOS应用的具有埋层硅化物层的SOI基体的制备
机译:使用掩埋的光刻胶掩模方法制造多层,独立式,SU-8结构
机译:通过原子层沉积制备掩埋纳米结构
机译:结合了掩埋硅化物层的键合SOI上的SiGe HBT