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首页> 外文会议>日本光学会;日本光学会年次学術講演会 >Fabrication and Uniformity Forward Voltage of GaN-based Micro-LED displays
【24h】

Fabrication and Uniformity Forward Voltage of GaN-based Micro-LED displays

机译：GaN基Micro-LED显示器的制备和均匀正向电压

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Fabrication of GaN-based micro-LED display with 64 × 32 pixels weas developed in thisstudy. The variation of forward voltages were 1.07 % in the row pixels, series resistance wasinhibited by ring-shape metal. The output power of blue micro-LED display was obtainedwith 847 μW at direct current(DC) 3mA and brightness achieve to 430 nit by PWM source.
机译：本研究开发了64×32像素的GaN基微型LED显示器。行像素中正向电压的变化为1.07％，环形金属抑制了串联电阻。蓝色微型LED显示器的输出功率在直流（DC）3mA下获得847μW的功率，并且通过PWM源达到430 nit的亮度。

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  • 来源
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  • 作者

    Ray-Hua Horng; Ci-Ming Jhang; Tzu-Chen Chiu; Shih-Siang Yan; Dong-Sing Wuu;

  • 作者单位

    Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu 300, Taiwan Graduate Institute of Precision Engineering, National Chung Hsing University, Taichung 402, Taiwan rhh@ nctu.edu.tw;

    Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu 300, Taiwan;

    Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu 300, Taiwan;

    Graduate Institute of Precision Engineering, National Chung Hsing University, Taichung 402, Taiwan;

    Department of Materials Science and Engineering, National Chung Hsing University, Taichung 402, Taiwan;

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