College of Physics Science Technology, Hebei University, Baoding, 071002, Hebei province, People's Republic of China;
nanocrystalline silicon carbide; radio frequency bias; helicon wave plasma;
机译:射频等离子体增强化学气相沉积法沉积的富硅氧化硅膜:光学和结构性质
机译:螺旋波等离子体增强化学气相沉积法低温沉积氢化纳米晶SiC薄膜
机译:射频等离子体增强化学气相沉积法沉积氮化硅和类金刚石碳膜的光学性能随沉积时间的变化
机译:射频偏压对赫里康波等离子体增强化学气相沉积沉积的纳米晶SiC膜的光学和结构性能
机译:微波等离子体电子回旋共振化学气相沉积法沉积的纳米晶和非晶硅薄膜晶体管:材料分析,器件制造和表征。
机译:射频等离子体增强化学气相沉积(RF PECVD)反应器中样品高度对氮化硅薄膜光学性能和沉积速率的影响
机译:在低衬底温度下通过射频等离子体增强化学气相沉积法沉积的掺杂非晶硅和纳米晶硅的电子和结构性质