Research Institute for Applied Physics, University of Tabriz, Tabriz 51664-163, Iran;
机译:温度对AlGaN / GaN发光二极管复合率的影响
机译:温度对AlGaN / GaN发光二极管复合率的影响
机译:温度依赖的复合速率对InGaN / GaN蓝色超发光发光二极管性能的影响
机译:温度对AlGaN / GaN发光二极管重组率的影响
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:GaN / AlGaN /溅射AlN成核层对GaN基紫外发光二极管性能的影响
机译:基于低温al / N和alGaN / GaN超晶格的GaN / si(111)外延层用于发光二极管
机译:Nichia alGaN / InGaN / GaN蓝色发光二极管的寿命试验