AIXTRON AG, Kackertstr. 15-17, D-52072 Aachen, Germany;
机译:用于光电器件的InGaN-GaN超晶格Qs的分子束外延生长
机译:用于GaN基光电器件的嵌入式光子晶体的生长
机译:p-InGaN层的厚度对具有p-GaN / InGaN异质结的GaN基LED的器件物理和材料质量的影响
机译:大规模生产设备,为ingan / GaN基光电器件的生长
机译:利用纳米技术在Si上生长,制造和表征基于InGaN / GaN的蓝色,绿色和黄色LED。
机译:基于石墨烯的电子光电和电声器件的晶圆级集成
机译:基于近紫外InGaN / GaN的双操作量子光电器件