法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-02-12
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/76 申请日:20180713
实质审查的生效
2019-01-11
公开
公开
机译: 以及制造基于氮化镓的发光器件的方法和生长包括InGaN层的基于氮化镓的半导体层的方法
机译: 用于二元和三元合金或固溶体形成羟基接触的薄膜电极,用于形成高质量的基于GaN的光学器件的P型热薄膜,并提供了一种使镁-碳键合断裂的方法和增加断裂的方法周围的GaN表面
机译: 一种制造基于InGaN的多量子阱层的方法