Institute of High Pressure Physics PAS, Sokolowska 29/37, 01-142, Warsaw, Poland,TopGaN Sp. z o.o., Sokolowska 29/37, 01-142, Warsaw, Poland;
Bulk GaN; HVPE growth method; HNPS growth method; ammonothermal growth method; homoepitaxy; laser diodes; HEMT transistors;
机译:石墨烯衬底上的GaN微棒可实现可弯曲的光电器件
机译:天然AlN和GaN衬底上的电子和光电器件的带隙工程:建模洞察力
机译:用于红外光电的GaN基量子器件的最新进展
机译:用于高温电子和光电子基板的块状GaN的大气压生长
机译:电子和光子器件:氢化非晶硅衬底n(+)/ i / p(+)太阳能电池的实验研究以及具有圆柱几何形状的量子阱的基本特性及其在电子和光子学中的应用
机译:III型氮化物数字合金:InN / GaN超短周期超晶格纳米结构的电子和光电特性
机译:用于红外光电的GaN基量子器件的最新进展