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Nanoepitaxy: Materials and devices VI
Nanoepitaxy: Materials and devices VI
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1.
Direct band gap wurtzite GaP nanowires for LEDs and quantum devices
机译:
用于LED和量子器件的直接带隙纤锌矿GaP纳米线
作者:
S. Assali
;
D. Kriegner
;
I. Zardo
;
S. Plissard
;
M. A. Verheijen
;
J. Stangl
;
J. E. M. Haverkort
;
E. P. A. M. Bakkers
会议名称:
《Nanoepitaxy: Materials and devices VI》
|
2014年
关键词:
Semiconductor nanowires;
gallium phosphide;
wurtzite;
direct band gap;
photoluminescence;
X-ray diffraction;
HRTEM;
2.
Bulk GaN and its application as substrates in building quantum nanostructures for some electronic and optoelectronic devices
机译:
体氮化镓及其作为衬底在某些电子和光电器件的量子纳米结构中的应用
作者:
M. Bockowski
会议名称:
《Nanoepitaxy: Materials and devices VI》
|
2014年
关键词:
Bulk GaN;
HVPE growth method;
HNPS growth method;
ammonothermal growth method;
homoepitaxy;
laser diodes;
HEMT transistors;
3.
Metalorganic Chemical Vapor Deposition of Bi_2Se_3 Thin Films for Topological Insulator Applications
机译:
拓扑绝缘体应用的Bi_2Se_3薄膜的金属有机化学气相沉积
作者:
Joseph E. Brom
;
Joan M. Redwing
会议名称:
《Nanoepitaxy: Materials and devices VI》
|
2014年
关键词:
metalorganic chemical vapor deposition;
MOCVD;
Bi_2Se_3;
topological insulator;
4.
GaAs-AlGaAs core-shell nanowire arrays: correlating MOVPE growth and luminescence properties
机译:
GaAs-AlGaAs核-壳纳米线阵列:与MOVPE生长和发光特性相关
作者:
Paola Prete
;
Ilio Miccoli
;
Nico Lovergine
会议名称:
《》
|
2014年
关键词:
Ⅲ-Ⅴ core-shell nanowires;
Au-catalyzed self-assembly;
MOVPE growth;
photoluminescence;
built-in strain;
5.
Investigation on resistive switching characteristics of ZnO thin film
机译:
ZnO薄膜的电阻开关特性研究
作者:
Min. Wei
;
Fan Yang
;
Chunfu Li
;
Hong Deng
;
Guangjun Wen
会议名称:
《Nanoepitaxy: Materials and devices VI》
|
2014年
关键词:
ZnO thin films;
resistive switching;
RF magnetron sputtering;
bulk effect;
interfacial effect;
6.
SAD-GLAD core-shell nanorod arrays for fuel cell, photodetector, and solar cell electrode applications
机译:
SAD-GLAD核-壳纳米棒阵列,用于燃料电池,光电探测器和太阳能电池电极应用
作者:
H. Cansizoglu
;
M. F. Cansizoglu
;
M. Yurukcu
;
W. J. Khudhayer
;
N. Kariuki
;
D. J. Myers
;
A. U. Shaikh
;
T. Karabacak
会议名称:
《Nanoepitaxy: Materials and devices VI》
|
2014年
关键词:
Small angle deposition;
glancing angle deposition;
core-shell nanostructures;
conformal coating;
fuel cell;
oxygen reduction reaction;
solar cell;
photodetector;
7.
Silicon epitaxy in nanoscale for photovoltaic applications
机译:
用于光伏应用的纳米级硅外延
作者:
Jinkyoung Yoo
;
Binh-Minh Nguyen
;
Shadi A. Dayeh
;
Paul Schuele
;
David Evans
;
S. T. Picraux
会议名称:
《Nanoepitaxy: Materials and devices VI》
|
2014年
关键词:
Silicon;
Nanowires;
Photovoltaics;
Epitaxy;
Radial p-i-n junction;
8.
Magnetic Doping of Ge-Quantum Dots: Growth Studies Exploring the Feasibility of Modulating QD Properties
机译:
锗量子点的磁掺杂:增长研究探索调节量子点性质的可行性
作者:
Christopher A. Nolph
;
Kiril R. Simov
;
Gopalakrishnan Ramalingam
;
Petra Reinke
会议名称:
《Nanoepitaxy: Materials and devices VI》
|
2014年
关键词:
Ge-quantum dot;
doping;
spintronics;
germanide;
Scanning tunneling microscopy;
metastable phase;
dilute magnetic semiconductor;
ferromagnetism. Curie temperature;
9.
Nanoelectronic synaptic devices and materials for brain-inspired computational architectures
机译:
用于大脑启发式计算架构的纳米电子突触设备和材料
作者:
Rashmi Jha
;
Saptarshi Mandal
会议名称:
《Nanoepitaxy: Materials and devices VI》
|
2014年
关键词:
Neuromorphic;
synapse;
transition metal oxide;
memristive;
low-power;
STDP;
Non-Volatile Memory;
10.
Acid-leached α-MnO_2 nanowires for electrochemical energy storage
机译:
酸浸α-MnO_2纳米线用于电化学储能
作者:
Bryan Byles
;
Arunkumar Subramanian
;
Ekaterina Pomerantseva
会议名称:
《Nanoepitaxy: Materials and devices VI》
|
2014年
关键词:
α-MnO_2;
nanowires;
hydrothermal synthesis;
acid leaching;
defects;
lithium intercalation;
batteries;
energy storage;
11.
Understanding and optimization of the sensitivity of nanoscale FET-based biosensors
机译:
了解和优化基于纳米FET的生物传感器的灵敏度
作者:
Kaveh Shoorideh
;
Chi On Chui
会议名称:
《Nanoepitaxy: Materials and devices VI》
|
2014年
关键词:
Nanowire;
Nanoscale;
Biosensor;
Double-Layer;
Debye Screening;
Debye Length;
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