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机译:天然AlN和GaN衬底上的电子和光电器件的带隙工程:建模洞察力
Soft-Impact, Ltd., P.O. Box 83, 27 Engels av., St. Petersburg 194156, Russian Federation;
B1. Nitrides; B3. Field effect transistors; B3. Light emitting diodes;
机译:武汉光电论坛77:GaN基宽带隙半导体:从固态照明到电力电子设备
机译:石墨烯衬底上的GaN微棒可实现可弯曲的光电器件
机译:在GaN模板和天然GaN衬底上的高迁移率AlGaN / AlN / GaN异质结构的金属有机化学气相沉积生长
机译:体氮化镓及其作为衬底在某些电子和光电器件的量子纳米结构中的应用
机译:研究石墨烯带隙工程以及贝塔伏特和光电器件。
机译:用于中紫外和深紫外光电的AlN / GaN数字合金
机译:Gan-On-On-Silicon高电子移动晶体管技术,超低泄漏高达3000 V,使用局部基板去除和ALN超宽带隙