用于GaN基光电与电子器件的控氧PVD AlN缓冲部

摘要

描述了用于GaN基光电与电子器件的控氧PVD？AlN缓冲部。亦描述了以控氧方式形成用于GaN基光电与电子器件的PVD？AlN缓冲部的方法。在实例中，形成用于GaN基光电或电子器件的氮化铝(AlN)缓冲层的方法涉及反应性溅射AlN层于基板上，反应性溅射涉及使置于物理气相沉积(PVD)腔室内的含铝靶材与含氮气体或以含氮气体为基础的等离子体发生反应。该方法进一步涉及将氧并入AlN层中。