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机译:变薄GaN缓冲层和界面层对GaN-on-Diamond电子器件中热和电性能的影响
Univ Bristol, Ctr Device Thermog & Reliabil, Sch Phys, HH Wills Phys Lab, Bristol BS8 1TL, Avon, England;
Univ Bristol, Ctr Device Thermog & Reliabil, Sch Phys, HH Wills Phys Lab, Bristol BS8 1TL, Avon, England;
Univ Bristol, Ctr Device Thermog & Reliabil, Sch Phys, HH Wills Phys Lab, Bristol BS8 1TL, Avon, England;
Univ Bristol, Ctr Device Thermog & Reliabil, Sch Phys, HH Wills Phys Lab, Bristol BS8 1TL, Avon, England;
Univ Bristol, Ctr Device Thermog & Reliabil, Sch Phys, HH Wills Phys Lab, Bristol BS8 1TL, Avon, England;
Element Six Technol, Santa Clara, CA 95054 USA;
Univ Bristol, Ctr Device Thermog & Reliabil, Sch Phys, HH Wills Phys Lab, Bristol BS8 1TL, Avon, England;
机译:金刚石播种对高功率电子器件甘钻晶片微观结构性能和热稳定性的影响
机译:金刚石籽晶对大功率电子设备用GaN金刚石薄膜晶圆的微结构性能和热稳定性的影响
机译:薄膜太阳能电池吸收体-缓冲层界面处的混合:Cu(In,Ga)(Se,S)
机译:运行中的AlGaN / GaN HFET器件的热应力和压电应力以及GaN缓冲层中Fe掺杂的影响
机译:通过异质外延GaN薄膜中的缓冲层控制应力和缺陷
机译:Algan / GaN在没有GaN缓冲层的SIC器件上:电气和噪声特性
机译:金刚石籽晶对大功率电子器件用GaN金刚石晶片的微观结构和热稳定性的影响
机译:GaN-ON-siC和GaN-ON-DIamOND高电子迁移率晶体管(HEmT)器件中声子传输的测量。