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第一章绪论
1.1引言
1.2 GaN薄膜的研究进展
1.3 GaN薄膜的制备方法
1.4 GaN薄膜缓冲层的作用及研究
1.5本论文的内容及安排
第二章理论模拟及实验方法
2.1引言
2.2薄膜生长动力学
2.3脉冲激光沉积的原理与特性
2.3.1脉冲激光沉积技术的原理
2.3.2脉冲激光沉积技术的特性
2.3.3脉冲激光沉积方法
2.4高温退火过程
2.5薄膜材料的表征方法
第三章硅基氮化镓薄膜和氧化锌薄膜的制备和性质研究
3.1硅基氮化镓薄膜的制备和性质研究
3.2硅基氧化锌薄膜的制备和性质研究
3.2.1未退火氧化锌薄膜的结构和性质分析
3.2.2退火后氧化锌薄膜的结构和性质分析
第四章ZnO缓冲层和退火过程对GaN/ZnO/Si膜制备的影响
4.1缓冲层衬底对GaN薄膜的结晶质量影响
4.2退火温度对GaN/ZnO/Si薄膜的结晶质量影响
4.2.1 X射线衍射谱图分析
4.2.2傅立叶红外吸收谱分析
4.2.3原子力显微镜表面分析
4.2.4拉曼谱分析
4.2.5小结
4.3退火时间对GaN/ZnO/Si薄膜的结晶质量影响
第五章结论
5.1本论文的主要研究成果
5.2对今后研究工作的建议
参考文献
攻读硕士学位期间完成的论文
致谢
山东师范大学;