声明
摘要
第一章 绪论
1.1 GaN的主要性质及应用
1.1.1 GaN的结构和极性
1.1.2 Ga极性面和N极性面的判断和性质
1.1.3 GaN的主要应用发展
1.2 半导体材料微纳米结构的制备及应用
1.2.1 半导体材料腐蚀结构的制备及应用
1.2.2 金属表面局域等离激元结构的基本性质及应用
1.3 材料表面润湿性原理概述
1.3.1 材料自身性质对润湿性的影响
1.3.2 外场调控对润湿性的影响
1.4 半导体光电探测原理概述
1.4.1 光导型与光伏型光电探测原理
1.4.2 评价半导体光电探测性能的主要参数
1.4.3 GaN紫外光电探测器
1.5 研究目的与拟解决的问题
参考文献
第二章 GaN表面微纳米结构的制备及局域等离激元光学性质的仿真
2.1 引言
2.2 不同极性GaN腐蚀结构的制备
2.2.1 Ga极性GaN腐蚀结构的制备
2.2.2 N极性GaN腐蚀结构的制备
2.3 GaN表面局域等离激元结构的制备
2.3.1 光化学法制备Au、Ag局域等离激元
2.3.2 溅射退火法制备Au、Ag局域等离激元
2.4 利用Comsol Multiphysics有限元软件仿真局域等离激元光学性质
2.4.1 仿真过程
2.4.2 结果分析
2.5 本章小结
参考文献
第三章 GaN表面微纳米结构对润湿性能的调控
3.1 引言
3.2 Ga极性和N极性GaN表面微纳米结构对润湿性的调控
3.2.1 实验过程
3.2.2 结果分析
3.3 紫外辐照对GaN表面润湿性的调控
3.3.1 实验过程
3.3.2 结果分析
3.4 本章小结
参考文献
第四章 GaN表面微纳米结构对光电探测性能的调控
4.1 引言
4.2 GaN表面腐蚀结构对光电探测性能的调控
4.2.1 实验过程
4.2.2 结果分析
4.3 利用Au-Cu2O验证局域等离激元光学性质提高半导体光电探测性能
4.3.1 实验过程
4.3.2 结果分析
4.4 GaN表面局域等离激元结构对光电探测性能的调控
4.4.1 GaN表面Au、Ag局域等离激元对光电探测性能的调控
4.4.2 GaN极性对局域等离激元调控光电探测性能的影响
4.5 本章小结
参考文献
第五章 结论与展望
5.1 主要结论
5.2 论文的创新点
5.3 需要进一步研究的问题
致谢
攻读博士期间已发表的论文