机译:镓极性氮化镓与氮极性GaN的表面和界面状态:薄有机半导体覆盖层的影响
Division of Engineering and Department of Physics, Brown University, Providence, Rhode Island 02912, USA;
rnDepartment of Electrical Engineering, Princeton University, Princeton, New Jersey 08544, USA;
rnDepartment of Electrical Engineering, Yale University, New Haven, Connecticut 06520, USA;
rnDepartment of Electrical Engineering, Princeton University, Princeton, New Jersey 08544, USA;
rnDepartment of Electrical Engineering, Yale University, New Haven, Connecticut 06520, USA;
rnDivision of Engineering and Department of Physics, Brown University, Providence, Rhode Island 02912, USA;
机译:通过低能粒子的撞击制备的非常薄的绝缘覆盖层覆盖的半导体表面的特性
机译:纳米晶体对有机半导体表面掺杂的影响:五苯-C60F48界面
机译:表面状态和体掺杂水平对混合无机/有机半导体界面能级的影响
机译:并五苯薄膜晶体管中不同有机半导体/有机介电界面的研究
机译:用于节能半导体器件的Si / GaN异质结构的GaN和界面工程的表面工程
机译:一种实验干预研究评估薄硅凝胶表面覆盖对界面压力的影响
机译:表面等离子体介导了半导体量子的能量转移 很好的有机覆盖层
机译:III-V族化合物半导体(110)表面上的V柱覆盖层的新表面原子结构。