公开/公告号CN112626622A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-04-09
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;
申请/专利号CN202011493956.1
申请日2020-12-17
分类号C30B33/10(20060101);C25F3/12(20060101);C30B29/40(20060101);
代理机构44304 深圳市铭粤知识产权代理有限公司;
代理人孙伟峰
地址 215123 江苏省苏州市苏州工业园区若水路398号
入库时间 2023-06-19 10:33:45
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-04-01
授权
发明专利权授予
机译: 氮化镓晶体,氮化镓衬底,氮化镓晶体和半导体器件的表面处理方法以及氮化镓晶体衬底和半导体器件的制造方法
机译: 并且获得了一种用于获得含镓氮化物块状单晶的方法中的晶体中去除杂质的工艺,用于制造由含镓氮化物块状单晶制成的基板的方法。
机译: 氮化镓单晶基质和表面处理方法