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氮化镓极性控制技术

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正《科技开发动态》2003年第10期报道了南京大学一项氮化镓极性控制技术的研究成果。该成果在蓝宝石衬底上生长氮化镓,生长系统的生长温度:低温区在850～900℃,高温区在1050～1100℃,将HCI(源HCl)/氮气载气通入含金属镓管路,在通入HCl/氮气载气的同时,氨气和氮气载气、额外HCI/总氮气也通入系统;3路气体在蓝宝石衬底表面

著录项

来源
《半导体信息》 |2003年第6期|P.25-25|共1页
作者
郑冬冬;
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作者单位

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类半导体器件制造工艺及设备;
关键词
氮化镓; 蓝宝石衬底; 控制技术; 温区; 科技开发; 研究成果; 南京大学; 面极化; 生长方法; 混合生长;

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