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Tim Kaske;
集成电路工艺; 功率半导体; 氮化镓; GaN;
机译:在300-500摄氏度下升高氮化镓(GaN)的氮化镓(GaN)的氮化镓(GaN)升温等离子体
机译:新型2D结构材料:碳氮化镓(CC-GaN)和硼氮化镓(BN-GaN)异质结构-通过密度泛函理论进行材料设计
机译:在独立的HVPE氮化镓上通过分子束外延生长GaN和AlGaN / GaN异质结构的同质外延,用于电子设备应用
机译:用于下一代通信应用的高性能宽带镓氮化镓(GaN)功率放大器
机译:高频应用氮化铝镓/氮化镓HEMT的工艺开发和器件特性
机译:新型2D结构材料:碳镓氮化物(CC-GaN)和硼-氮化镓(BN-GaN)异质结构—通过密度函数进行材料设计理论
机译:氮化镓单片微波集成电路(GaN mmIC)的性能和应用
机译:利用氮化铟镓(InGaN)/氮化镓(GaN)异质结构的负极化特性实现具有深紫外(<250nm)发射的频率倍增蓝绿激光(2年级)。
机译:氮化镓(GaN)和氮化镓(GaN)的气相生长方法
机译:氮化镓(GaN)复合半导体晶体的制造方法以及氮化镓(GaN)复合半导体晶体的制造方法
机译:GaN LED镓氮化物/氮化镓器件的氮化铝在AC LED的硅基板上的集成
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