Materials Sciences Division Lawrence Berkeley National Laboratory Berkeley CA 94720 University of California at Berkeley Berkeley CA 94720;
Materials Sciences Division Lawrence Berkeley National Laboratory Berkeley CA 94720;
Materials Sciences Division Lawrence Berkeley National Labora;
机译:MBE技术在压电基片上外延生长的ZnO薄膜的SAW特性
机译:沉积温度对在硅基板上生长的SnS薄膜性能的影响-与在玻璃基板上生长的膜的结构和光学性质的比较研究
机译:通过HWCVD技术在低衬底温度下生长的高结晶碳化硅薄膜
机译:IngaN薄膜通过硅基板的启用和MBE技术生长
机译:分子束外延在6个氢碳化硅衬底上生长的氧化镁纳米薄膜的工艺建模与化学计量分析
机译:铕掺杂对MBE成长Bi2te3薄膜的性质的影响
机译:MBE生长和在硅衬底和GaN模板上的基于InGaN的薄膜和纳米柱的表征
机译:衬底温度和氢稀释比对热线化学气相沉积法生长纳米硅薄膜性能的影响