机译:通过HWCVD技术在低衬底温度下生长的高结晶碳化硅薄膜
Department of Physics, Indian Institute of Technology Guwahati, Guwahati 781 039, India;
Department of Physics, Indian Institute of Technology Guwahati, Guwahati 781 039, India;
机译:HWCVD技术生长的高结晶碳化硅薄膜的微观结构
机译:HWCVD在不同灯丝温度下生长的微晶碳化硅薄膜及其在n-I-p微晶硅太阳能电池中的应用
机译:灯丝到基板的距离对通过HWCVD技术沉积的碳化硅薄膜的光谱,结构和光学性质的影响
机译:HWCVD和VHF-PECVD低温沉积氢化纳米晶立方碳化硅薄膜
机译:分子束外延在6个氢碳化硅衬底上生长的氧化镁纳米薄膜的工艺建模与化学计量分析
机译:氮掺杂和温度对碳化硅薄膜机械耐久性的影响
机译:具有在低温下通过HWCVD生长的微晶碳化硅窗口层的N侧照明Nip微晶硅太阳能电池
机译:衬底温度和氢稀释比对热线化学气相沉积法生长纳米硅薄膜性能的影响