ALCATEL-THALES 3-5 LAB Route de Nozay, Marcoussis, France;
机译:输出谐波终止对AlGaN / GaN HEMT功率放大器的PAE和输出功率的影响
机译:通过等离子增强原子层沉积进行的AIN钝化,用于GaN基功率开关和功率放大器
机译:SiC衬底上的L带高功率AlGaN / GaN异质结FET
机译:宽带AlGaN / GaN高功率放大器,坚固的LNA和L波段功率开关
机译:使用AlGaN / GaN HEMT的大功率,宽带微波F类功率放大器的设计
机译:利用晶体管单元非对称功率组合的Ku波段50 W GaN HEMT功率放大器
机译:高功率宽带石墨烯无培养电路支持Class-J GaN HEMT功率放大器