机译:输出谐波终止对AlGaN / GaN HEMT功率放大器的PAE和输出功率的影响
Dept. of Electr. Eng., California Univ., Los Angeles, CA, USA;
aluminium compounds; gallium compounds; III-V semiconductors; wide band gap semiconductors; HEMT integrated circuits; UHF power amplifiers; UHF integrated circuits; harmonics; MMIC power amplifiers; output harmonic termination; power added efficiency;
机译:Sc / sub 2 / O / sub 3 /和MgO钝化层对AlGaN / GaN HEMT的输出功率的影响
机译:基于AlGaN / GaN HEMT的C波段55%PAE高增益两级功率放大器
机译:宽带谐波调谐CMOS功率放大器,在整个X波段上具有19.5 dBm的输出功率和22.6%的PAE
机译:使用有源集成天线方法的AlGaN / GaN HEMT功率放大器的输出谐波终端技术
机译:使用SiC HEMT器件上的GaN的3.6 GHz Doherty功率放大器,其饱和输出功率为40 dBm。
机译:利用晶体管单元非对称功率组合的Ku波段50 W GaN HEMT功率放大器
机译:采用siC在HEmT器件上的GaN,具有40 dBm饱和输出功率的3.6 GHz Doherty功率放大器