Department of Electrical Engineering, Centro Universitario da FEI, Sao Bernardo do Campo, Sao Paulo, Brazil;
rnDepartment of Electrical Engineering, Centro Universitario da FEI, Sao Bernardo do Campo, Sao Paulo, Brazil;
机译:SOI功率集成电路的高压RESURF LDMOSFET中栅极下方沟槽的影响
机译:具有多晶硅和金属场板的高性能600V LDMOSFET,用于SOI高压集成电路
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机译:使用Cynthia SOI MOSFET来提高模拟集成电路的电压增益
机译:用于集成电路设计的4H-SiC低压MOSFET的建模和验证。
机译:基于超高纯度半导体碳纳米管的低压高性能柔性数字和模拟电路
机译:低压低功率电路双栅sOI mOsFET的设计与优化
机译:低压低功耗模拟集成电路的设计及其在听力仪器中的应用