使用体半导体晶片形成改善的SOI衬底

摘要

本发明涉及具有一个或多个器件区域(2、4、6)的绝缘体上半导体(SOI)衬底。每个器件区域至少包括掩埋绝缘体层(14)位于其间的基础半导体衬底层(12)和半导体器件层(16)，同时通过一个或多个垂直绝缘柱(22)支撑所述半导体器件层(16)。优选地，每个所述垂直绝缘柱(22)具有在所述基础半导体衬底层(12)与所述半导体器件层(16)之间延伸的突出部。可以由前体衬底结构容易地形成本发明的SOI衬底，所述前体衬底具有“浮置”半导体器件层，所述“浮置”半导体器件层通过空气隙(15)与所述基础半导体衬底层分离并由一个或多个垂直绝缘柱(22)支撑。优选地，通过选择性地去除位于所述基础半导体衬底层(12)与所述半导体器件层(16)之间的牺牲层(13)来形成空气隙(15)。