机译:使用用于45纳米CMOS生成的ASIS(专用互连结构)布线设计概念实现芯片级性能最大化
机译:使用三层镶嵌布线设计概念提高芯片级性能,可产生0.13μmCMOS以上
机译:45 nm CMOS节点的浅沟槽隔离以及STI应力对CMOS器件性能的几何依赖性
机译:芯片级性能最大化使用ASIS(特定于应用专用互连结构)接线设计概念为45 nM CMOS器件
机译:45 nm CMOS技术中全集成低噪声放大器(LNA)的设计,故障建模和测试,用于芯片间无线互连
机译:作为后CMOS器件基于石墨烯的横向异质结构晶体管表现出比基于石墨烯的垂直晶体管更好的固有性能
机译:CMOS 45 nm电路中有效的互连网络设计,可共同降低XT和延迟,以传输超高速信号