Meters; MOSFET; Power measurement; Impedance measurement; Silicon carbide; HEMTs; Power transistors;
机译:使用S参数提取封装的GaN功率晶体管寄生效应
机译:通过低频S参数测量和基于TCAD的物理设备仿真识别微波功率AlGaN / GaN HEMT中的GaN缓冲阱
机译:基于脉冲S参数测量的GaN HEMT简化的漏滞模型
机译:仅使用夹断S参数测量即可在SiC衬底上提取AlGaN / GaN HEMT的寄生元素
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:利用晶体管单元非对称功率组合的Ku波段50 W GaN HEMT功率放大器
机译:通过低频s参数测量和基于TCaD的物理器件仿真识别微波功率alGaN / GaN HEmT中的GaN缓冲阱
机译:用于射频(RF)功率和增益优化的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEmT)的物理分析