机译:氢和氘等离子体处理对多晶硅TFT性能和直流可靠性的影响比较
机译:低温多晶硅TFT中通过等离子体加氢降低陷阱态密度的影响
机译:具有新型叠栅电介质的低温多晶硅TFT的性能和可靠性以及使用PECVD一氧化二氮等离子体进行叠层优化
机译:氢气和氘等离子体处理对多晶硅TFT性能和可靠性的对比研究
机译:对位于核反应堆堆芯中心的氢,氘和氦冷中子源进行的比较中子可行性研究。
机译:纵向治疗效果的双重稳健有效估计:仿真中的比较性能和案例研究
机译:纳米压痕技术对钨中结晶学,热处理和高通量氘等离子体暴露的综合影响