机译:具有新型叠栅电介质的低温多晶硅TFT的性能和可靠性以及使用PECVD一氧化二氮等离子体进行叠层优化
Dielectric films; Gate oxide; Nitrous oxide plasma; Poly crystalline-silicon thin-film transistor (poly silicon TFT); Reliability;
机译:使用堆叠式Pr2O3 /氧氮化物栅极电介质的高性能多晶硅TFT
机译:通过远程等离子体增强CVD和沉积后快速热退火制备的具有氮化的Si-SiO / sub 2 /界面的超薄氮化硅/氧化物堆叠栅极电介质的PMOSFET的性能和可靠性
机译:氮化物/氧化物堆叠栅电介质中的缓冲氧化物层对器件性能和电介质可靠性的影响
机译:在大规模扩展的NMOS和PMOS FET中提高了性能和可靠性:i)非层界面氮化和ii)用优化的氧化物/氮氧化物叠层代替堆叠的氧化物/氮化物电介质
机译:开发用于TFT应用的等离子增强化学气相沉积(PECVD)栅极电介质。
机译:栅堆叠结构和工艺缺陷对32 nm工艺节点PMOSFET中NBTI可靠性的高k介电依赖性的影响
机译:(邀请的)金属栅/高κ介质栅极堆叠可靠性;或者我如何学会与氧化物一起生活