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【24h】

IGZO薄膜を利用したシナプス素子の積層クロスボイントメモリ

机译:使用IGZO薄膜层压交叉阱记忆突触装置

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摘要

高集積化が容易な酸化物半導体を用いることでハードウエアによる大規模なニューラルネットワークの構築を目標とした研究,開発を行った.酸化物半導体であるIn-Ga-Zn-O(IGZO)の電気的特性をシナプス素子として用い,デバイスの材料や作成条件,測定条件を変えることで,最も生物のシナプス素子の経時劣化特性に近い条件を評価した.
机译:通过使用易于整合的氧化物半导体,通过硬件构建大规模神经网络的目的进行研究和开发。氧化物半导体In-Ga-Zn-O(IGZO)电气特性用作突触元件,还改变了装置,制备条件和测量条件的条件,评价了与生物体的时间劣化特性接近的条件。

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