SiC; Silicon carbide single crystal; SiC powder; high purity; impurity; PVT; carbothermal reduction;
机译:SiC晶体生长过程中高纯SiC粉末的杂质行为
机译:用于SiC单晶生长的高纯度β-SiC粉末
机译:SiC粉中杂质对高质量SiC晶体生长的影响
机译:SIC晶体生长期间高纯度SiC粉末的杂质行为
机译:X射线形貌技术在PVT生长4H-SiC晶体缺陷行为研究中的应用
机译:在ZRB2-SiC复合粉末合成中具有高纵横比的SiC晶须的原位生长行为
机译:在ZRB2-SiC复合粉末合成中具有高纵横比的SiC晶须的原位生长行为
机译:少量杂质对高纯铁再结晶和晶粒长大的影响。注3。硼对再结晶的影响及杂质对正常和异常晶粒长大的影响