implantation; PiN; annealing; IV; defect;
机译:植入Al〜+的4H-SiC p〜+ -i-n二极管:植入后退火相关缺陷激活的证据
机译:Al〜+离子注入的4H-SiC垂直p〜+ -i-n二极管:漏电流和OCVD载流子寿命的处理依赖性
机译:在HPSI 4H-SiC上离子注入的横向p〜+ -i-n〜+二极管
机译:Al〜+植入4H-SiC P〜+ -I-N二极管:植入后退火依赖性缺陷激活的证据
机译:X射线形貌技术在PVT生长4H-SiC晶体缺陷行为研究中的应用
机译:各种缺陷对4H-SiC肖特基二极管性能的影响及其与外延生长条件的关系
机译:铝或硼注入制造的4H-SiC p-n二极管的雪崩现象
机译:6H-和4H-siC中固有和离子注入诱导缺陷的电学和光学表征