alkali vapor etching; NaOH; etch pit; mixed c+a dislocation; X-ray topography;
机译:汽化NaOH对4H-SiC的位错揭示:通过蚀刻坑法区分边缘,螺丝和混合螺纹位错的可能方法
机译:螺纹和位错对4H-SiC同质外延层输运性能的影响
机译:用六个等效的11-28 g矢量对X射线形貌进行表征的4H-SiC中的基本螺钉和混合型位错以及与蚀刻坑评估的比较
机译:通过汽化的NaOH:通过蚀刻坑法来区分边缘,螺钉和混合穿线脱位的可能方法
机译:通过建模和仿真了解纳米结构中的边缘和螺钉位错。
机译:4H-SiC GTO器件中异常的位错聚集引起的正向压降
机译:在光电化学蚀刻的n-GaN表面上形成的树状特征 - GaN中穿透位错的揭示 -
机译:螺纹螺纹和刃口位错对4H-siC同质外延层输运性能的影响