电解电容器用铝箔和形成蚀坑的蚀刻法

摘要

在制备用于电解电容器的铝箔中，本发明通过省略中间退火步骤来提高生产率。经过非电解工艺能够在铝箔极好地形成蚀坑。可以使用的铝箔具有由以质量比表示5-40ppm的Si、5-40ppm的Fe、0.1-3ppm的Pb和1 5-150ppm的Ni和余量是Al和不可避免的杂质构成的组成，所述不可避免的杂质包括少于10ppm的Cu，并且除Cu以外不可避免杂质的总量等于或者小于100ppm。在具有上述组成的铝箔中，氧化膜具有20-60的厚度和Ni在0.5μm深时具有等于或者高于1.5、在0.1μm深时具有等于或者高于10和在0.3μm深具有等于或者高于2的离子强度比，在此假定当位于铝箔1μm深时Ni的离子强度比等于1。另外，当Ni位于氧化膜中心区域的深处具有5-50的浓度比和当位于氧化膜与铝箔板的界面具有80-150的浓度比，在此Ni位于从氧化膜和铝箔板的界面靠近箔板10nm深处假定为1。通过按照下述步骤可以形成蚀坑：通过不施加电流让铝合金箔与不含盐酸的溶液或者含有少于1000ppm氯离子的溶液接触除去包含氧化膜的铝合金箔上20-200厚的表面层的步骤、形成蚀坑的步骤和扩大这样形成坑的直径的步骤。