Strike location; Bipolar amplification effect; Critical charge; Threshold LET;
机译:90nm CMOS双阱和三阱NMOSFET中单事件瞬态的温度依赖性
机译:横向源/漏结控制制造的低于10nm平面体CMOS器件的特性和建模
机译:90nm CMOS技术的超低功耗亚阈值CMOS反相器
机译:罢工位置与90nm双孔体积CMOS的距离之间的影响
机译:具有集成90nm CMOS光电二极管的2Gbps光接收器。
机译:最初的引流淋巴结引发了系统性病毒感染后大量的CD8 T细胞反应并影响记忆T细胞的运输。
机译:使用90nm CMOS技术设计常见源/排水活性酥油云
机译:采用90nm CmOs技术的205GHz放大器。