首页> 外文会议>日本化学会春季年会講演予稿集 >チオラート保護金ナノクラスターを用いた浮遊ゲートメモリの特性におけるクラスターサイズ依存性
【24h】

チオラート保護金ナノクラスターを用いた浮遊ゲートメモリの特性におけるクラスターサイズ依存性

机译:使用硫醇保护金纳米粉丝浮栅记忆特性的簇尺寸依赖性

获取原文

摘要

浮遊ゲートメモリは、絶縁層で挟まれた浮遊ゲート層に電荷を注入させることで、情報の記録を行う。この浮遊ゲートにサイズの揃ったナノクラスター (NC) を用いることで、メモリ特性の精密な制御が期待できる。本研究では、チオラート保護金NC ( [Au_(25)(SR)_(18)]0、Au_(24)Pd(SR)_(18)、Au_(38)(SR)_(24) (R = C_(12)H_(25))) を用いた浮遊ゲートメモリの特性を評価し、NC の電子構造と電荷保持特性との相関を明らかにした
机译:浮动栅极存储器通过将电荷注入到由绝缘层夹着的浮栅层上来执行信息的记录。通过在该浮栅中使用均匀的纳米光泽(NC),可以预期对存储器特性的精确控制。在该研究中,硫醇酸盐保护金NC([AU_(25)(SR)_(18)] 0,AU_(24)PD(SR)_(18),AU_(38)(SR)_(24)= C_ (12)评估了使用H_(25))的浮栅存储器的特性,并澄清了NC电子结构与电荷保持特性之间的相关性

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号