焼結法による炭化タンタル被覆黒鉛材（２）： バルク結晶成長·半導体デバイスプロセスでの評価

摘要

高融点金属およびその化合物はその熱的·化学的安定性の高さから 1800–2500 °C程度の超高温領域での炉 材（ルツボ、ヒータ、熱反射シールド、および熱電対等）として有用である。最近、次世代パワーデバイス 用途の半導体である SiC のバルク結晶成長やエピ成膜において Ta ないしは TaC が、紫外発光素子用の AlN のバルク結晶成長では Wないしは TaCがルツボやサセプタとして有用であることが報告されているが、これ らの素材が高価であることに加え、加工が困難であることから、利用範囲は主に研究用途に制限されている。