スマート社会に不可欠なSiC炭化ケイ素デバイス:単結晶、ウエハ、エピウエハ製造で需要成長期待されるアルゴン、水素、シラン、プロパンSiCエビタキシャルウエハ製造で技術の先端行く昭和電工

摘要

SiC　（シリコンカーバイド＝炭化ケイ素）は、次世代パワーデバイスの本命といわれている。実用化されれば、TIGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ。電力制御用途で使用）などに利用され、電力ロスを、Si材料のパワーデバイスを使っている現状の10分の1程度に低減できる効果が期待されているからだ。