MOSFET; SRAM chips; circuit stability; 8T SRAM cell; MOSFET channel length; SRAM stability; asymmetric cell structure; device geometry; read-SNM; threshold voltage;
机译:一种新的8T SRAM,具有改善的细胞密度
机译:有效的低泄漏6T和8T FinFET SRAM:使用具有反向偏置的FinFet的电池,近阈值操作和功率门控
机译:具有改善的噪声裕度的8T差分SRAM,用于在65 nm CMOS中进行位交错
机译:具有改进的READ-SNM的新型8T SRAM单元
机译:在16NM技术中使用FinFET和CMOS的8T SRAM单元的设计与性能评估
机译:通过利用照射暴露来提高基于SRAM的真实随机数发生器的性能
机译:32NM技术中具有6分CMOS SRAM单元的三个值逻辑8T CNTFET SRAM单元的比较分析