一种MOSFET-TFET混合型的8T SRAM单元电路

摘要

本发明公开了一种MOSFET‑TFET混合型的8T SRAM单元电路，电源VDD和PTFET晶体管P1的源极连接，电源VDD也与PTFET晶体管P2的源极连接；PTFET晶体管P1的漏极与NMOSFET晶体管N5的漏极、PTFET晶体管P2的栅极、NTFET晶体管N2的栅极、NTFET晶体管N1的漏极连接；PTFET晶体管P2的漏极与PTFET晶体管P1的栅极、NTFET晶体管N1的栅极、NTFET晶体管N2的漏极、NMOSFET晶体管N6的源极、NTFET晶体管N4的源极连接。该电路采用TFET器件与MOSFET器件混合的方式，消除了TFET作为SRAM传输管出现的正偏P‑I‑N电流。