一种8T SRAM单元及存内计算装置

摘要

本发明涉及一种8T SRAM单元及存内计算装置。该装置包括一个8T SRAM单元阵列、一个输入驱动器、一个列译码和位线驱动模块、一个行解码器和N个数模转换模块。本发明中的8T SRAM单元阵列使用的计算模式采用的2比特输入的乘算模式，相比传统的8T结构的存算SRAM采用的1比特输入的计算模式，能够提高计算的精度，有利于提高数据计算的准确性。同时本发明中的8T SRAM单元阵列的2比特计算方案，和传统的8T结构的存算SRAM相比实现了2个传统8T结构的存算SRAM才能完成的功能，降低了阵列的面积，减小了整体SRAM的面积消耗以及能耗，提高了效率。