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【24h】

二段ガス窒化処理における表面化合物層のN再分配過程の解析

机译:两阶段气体氮化处理中表面复合层的N再分配过程分析

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摘要

本報告では二段ガス窒化法における表面化合物層(白層)の固体内拡散によるN再分配過程の解析を行う。二段ガス窒化法はガス窒化法を改良した手法で二段目を高温、低窒化ポテンシャルにすることにより窒化層厚さを効率的に増すために行われる。一段処理のガス窒化法に比べ時間短縮や、最表面に形成するε(Fe_(2-3)N)とγ’(Fe_4N))相による脆性化合物層厚さを低減するなどの効果がある。
机译:在本报告中,我们通过在两级气体氮化方法中扩散表面化合物层(白色层)来分析N再分配过程。进行两级气体氮化方法以通过通过具有改进的气体氮化方法的方法通过制造第二阶段的高温和低氮化电位而有效地提高氮化层厚度。与一种步进处理的气体氮化方法相比,诸如还原的效果,并通过在最外表面上形成的ε(Fe_(2-3)n)和γ'(Fe_4n))相的脆化合物层厚度和γ'(fe_4n))相比。

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