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二段ガス窒化処理の第二段過程における窒素再分配と化合物層厚さ

机译:两阶段气体氮化过程第二阶段的氮再分布和化合物层厚度

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摘要

本研究では二段ガス窒化処理の第二段過程における窒素(N)再分配過程を議論する。化合物層厚さを予測するモデルを構築し各パラメーターの影響を評価する。二段ガス窒化は二段目の高温,低量化ポテンシャル処理により窒化層の硬さ分布を平坦にするとともに窒化層厚さを増すことを主な目的として行われる処理である。化合物層消失.処理時間短絡 アンモニア消費量低減などが可能であるが,第二段過程における化合物層厚さの挙動を記述するモデルは今日まで報告されていなし㌔これから化合物層から母相にNが固体内拡散により再分配する過程を解析するとともに既報の実験結果との比較検討を含めた考察を行った。
机译:在这项研究中,我们讨论了两阶段气体氮化过程第二阶段中的氮(N)重分布过程。构建用于预测复合层厚度​​的模型,并评估每个参数的效果。第二阶段的气体氮化是主要通过第二阶段的高温,低电位处理来使氮化层的硬度分布平坦化并且增加氮化层的厚度的处理。复合层消失了。处理时间短路可以减少氨的消耗量,但是迄今为止,还没有报告描述第二阶段工艺中复合层厚度​​行为的模型。分析了重新分配过程,并进行了包括先前报告的实验结果的比较检查在内的考虑。

著录项

  • 来源
    《熱処理》 |2011年第5期|p.273-282|共10页
  • 作者

    住田 雅樹;

  • 作者单位

    (独)産業技術総合研究所 先進製造プロセス研究部門;

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  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 jpn
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