Quantum well; Current density; LED; Laser Diode;
机译:In_xGa_(1-x)N / GaN发光二极管中由电流应力引起的多量子阱态的重新分布
机译:n-GaN厚度对在Si(111)衬底上生长的In_xGa_(1-x)N多量子阱发光二极管中内部量子效率的影响
机译:In_xGa_(1-x)N / GaN量子点中电子和空穴的基态跃迁能
机译:量子孔宽度对in_xga_(1-x)n / gaN量子阱二极管工作电流的转变能量的偏移
机译:GaN / InGaN发光二极管中量子阱结构的建模和分析。
机译:InGaN / GaN多量子阱LED纳米线中的载流子局部化效应:发光量子效率的提高和负热活化能
机译:错误:“电致发光转变能量在脉冲电流条件下的脉冲/ GaN多量子阱发光二极管中的电致发光过渡能量的注射电流依赖性”J。苹果。物理。 118,033101(2015)
机译:18微米截止长波长In_xGa_(1-x)as / Gaas量子阱红外光电探测器